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Soitec et SunEdison ont annoncé mardi avoir conclu un accord de licences croisées relatif à leurs brevets liés aux substrats de silicium-sur-isolant (SOI), leur permettant un accès aux portefeuilles respectifs en matière de brevets pour les technologies SOI, mettant fin à tous les litiges en suspens entre elles. 
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Cela permettra aux deux entreprises de développer des produits dans lesquels la couche active (dans laquelle les dispositifs sont fabriqués) est constituée d'un matériau semi-conducteur autre que du silicium simple et non contraint, tel qu'un composé de silicium-germanium, du germanium ou des matériaux III-V. Ces matériaux semi-conducteurs avancés permettent la fabrication de transistors à canal à haute mobilité pour les applications numériques de prochaines générations.